| H2置换Ni(100)面上化学吸附CO的表面反应研究 | |
| Department | 非现建制 |
| 沈师孔; J.L.Gland; D.A.Fisher; F.Zaera | |
| 1988 | |
| Source Publication | 分子催化
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| ISSN | 1001-3555 |
| Volume | 2Issue:3Pages:137-146 |
| Abstract | 本文报导了一个新发现的H2置换Ni（100）面上化学吸附CO的表面反应. CO分子在Ni（100）面上的化学吸附（吸附热为126J/mole）比氢的原子吸附（吸附热为96kJ/mole）强得多, 在通常条件下, H2不能置换Ni（100）面上化学吸附的CO. 但是当H2压高于1×10-4乇时, 在温度为270～330 K的范围内可引起H2置换化学吸附CO的表面反应. 本文用荧光产率近边吸收谱（FYNES）和程序升温脱附（TPD）对H2置换化学吸附CO的表面反应动力学进行了详细的研究. FYNES谱在原理上与NEXAFS相同, 通过测量含碳受激分子在弛豫过程中释放的碳—Kα荧光产率代替测量Auger电子产率, 所以可在有气氛压力下对表面反应动力学过程进行原位考察. 实验结果表明, 在氢压为10-4至10-1乇和单晶温度为270至330K范围内, 置换反应的速度公式可表示为: -dθ/dt=kθPH20:4式中θ为CO的表面覆盖度, PH2为气相氢压. 置换反应是一个热活化过程, 它随CO覆盖度的降低显示出二个不同的动力学区域,置换反应的活化能在高覆盖度下为29±4kJ/mole, 在低覆盖度下为46±4kJ/mole. 这比CO在Ni（100）面上的吸附热105～126kJ/mole约低75～80J/mole. 本文对置换反应的控制步骤和H2置换的机理进行了讨论 |
| Subject Area | 物理化学 |
| Funding Organization | 中国科学院与美国Exxon研究和工程公司的合作研究项目 |
| Language | 中文 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.licp.cn/handle/362003/6158 |
| Collection | 非现建制 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 沈师孔,J.L.Gland,D.A.Fisher,等. H2置换Ni(100)面上化学吸附CO的表面反应研究[J]. 分子催化,1988,2(3):137-146. |
| APA | 沈师孔,J.L.Gland,D.A.Fisher,&F.Zaera.(1988).H2置换Ni(100)面上化学吸附CO的表面反应研究.分子催化,2(3),137-146. |
| MLA | 沈师孔,et al."H2置换Ni(100)面上化学吸附CO的表面反应研究".分子催化 2.3(1988):137-146. |
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| H_2置换Ni_100_面上化学吸附CO（628KB） | 开放获取 | CC BY-NC-SA | View Application Full Text | |||
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